TK380A60Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK380A60Y,S4X |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.57 |
10+ | $1.408 |
100+ | $1.1317 |
500+ | $0.9298 |
1000+ | $0.7704 |
2000+ | $0.7173 |
5000+ | $0.6907 |
10000+ | $0.673 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 360µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220SIS |
Serie | DTMOSV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 30W |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.7A (Tc) |
Grundproduktnummer | TK380A60 |
TK380A60Y,S4X Einzelheiten PDF [English] | TK380A60Y,S4X PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|